第一次高NA EUV！Intel 14A工艺密度提升20% 能效提升15%！

根据外媒的报道，近日Intel高级副总裁Anne Kelleher在SPIE 2024光学与光子学会议上透露了Intel 14A制程的相关技术细节。

在不久前举办的IFS Direct Connect活动中，Intel分享了其“4年5节点”的工艺路线图的最新进展，并公布了最后一个节点Intel 18A制程之后的计划，新增了Intel 14A制程技术和数个专业节点的强化版本。

Intel计划在Intel 14A才导入High-NA EUV曝光设备，在Intel 18A则仅是发展与学习阶段。

近日Intel高级副总裁Anne Kelleher在SPIE 2024光学与光子学会议上透露，Intel 14A将会比Intel 18A制程技术的能耗效率提升15%，而强化版的的Intel 14A-E则会在Intel 14A基础上带来额外的5%能耗提升。

与Intel 18A制程技术相较，Intel 14A制程技术的晶体管密度将会提升20%。

按照Intel的计划，Intel 14A制程技术最快会在2026年量产，而Intel 14A-E制程技术则是要到2027年。

不过，至今Intel都没有宣布任何采用Intel 14A和Intel 14A-E制程技术的产品。

虽然，Intel在晶圆代工市场视台积电为竞争对手。

不过，目前来看，其生产的处理器有越来越多的小芯片交由台积电制造生产，其中还包括最为核心的运算芯片情况下，Intel仍持续会保持与台积电既竞争，又合作的关系。

报导指出，Intel在2023年6月的代工模式投资者网络研讨会上，介绍了内部晶圆代工业务模式的转变，从2024年第一季开始将设计与制造业务分离，内部设计部门与制造业务部门之间将建立起客户与供应商的关系，制造业务部门将单独运营，且财报独立。

Intel借此获得客户的信赖，希望在2030年之前超越三星，成为晶圆代工领域的第二大厂商。